IRFH5210TRPBF

1. Düşük İletim Kayıpları
2. Daha iyi termal dağılım sağlar
3.Artan Güvenilirlik
4.Artan Güç Yoğunluğu
5.Çoklu Satıcı Uyumluluğu
6.Daha Kolay Üretim
7. Çevre Dostu
8. Artırılmış Güvenilirlik

Üretici Parça Numarası:IRFH9310TRPBF
Üretici / MarkaUluslararası Doğrultucu (Infineon Technologies)
Açıklama Parçası:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok Durumu: Yeni orijinal, 12000 adet Stok Mevcuttur.
Gönderim Yeri: Hong Kong
Sevkiyat Yolu: DHL/Fedex/TNT/UPS
Ürün Özelliği Özellik Değeri Seçin Özelliği
Parça Numarası IRFH9310TRPBF
Üretici / Marka Uluslararası Doğrultucu (Infineon Technologies)
Stok Adedi 12000 adet Stok
Kategori Ayrık Yarı İletken Ürünler > Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
Açıklama MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Genişlik - İç -55°C ~ 150°C (TJ)
Gerilim/Akım - Çıkış 1 PQFN (5x6)
Tolerans 5250pF @ 15V
Kuyruk Tipi P-Kanalı
Adım Açısı MOSFET (Metal Oksit)
Shrink Sıcaklık Infineon Technologies
SFP/XFP Tipi ±20V
Uzaktan Yetenek HEXFET®
Pitch - Kablo Yüzey Montajı
Diğer İsimler Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Diğer İsimler 1
Osilatör Tipi 8-PowerVDFN
DAC sayısı 30V
Minimum Sıvı Özgül Ağırlık -
Çiftleşme Yönü 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Üretici Parça Numarası IRFH9310TRPBFDKR-ND
Uzunluk - Namlu Digi-Reel®
Lamba Rengi 4.5V, 10V
Yüksek Taraf Voltajı - Maks (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
İşlev 58nC @ 4.5V
Bobin Gücü Aktif
Kanal Kapasitesi (CS(kapalı), CD(kapalı)) 3,1 W (Ta)
Kart Okuyucu Tipi 2.4V @ 100µA
özellikler ve faydalar
Ortaya Çıkan Faydalar
Düşük RDSon (≤ 4,6mΩ) Düşük İletim Kayıpları
Endüstri Standardı PQFN Paketi Çoklu Satıcı Uyumluluğu
RoHS Uyumlu Kurşun, Bromür ve Halojen İçermez Çevre Dostu
ile sonuçlanır
Not
Form Miktarı
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Bant ve Makara 4000
Sipariş edilebilir parça numarası Paket Tipi Standart Paket
VDS -30V
RDS(açık) maks.
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipik) 110 nC
RG (tipik) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Mutlak Maksimum Puanlar
Parametre Birimleri
VDS Tahliye-Kaynak Gerilimi
VGS Kapıdan Kaynağa Voltaj
ID @ TA = 25°C Sürekli Boşaltma Akımı, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Sürekli Boşaltma Akımı, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Sürekli Boşaltma Akımı, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Sürekli Boşaltma Akımı, VGS @ -10V (Silikon Sınırlı)
ID @ TC = 25°C Sürekli Tahliye Akımı, VGS @ -10V (Paket Sınırlı)
IDM Darbeli Tahliye Akımı
PD @TA = 25°C Güç Tüketimi
PD @ TA = 70°C Güç Tüketimi
Doğrusal Değer Azaltma Faktörü W/°C
TJ İşletme Kavşağı ve
TSTG Saklama Sıcaklığı Aralığı
Tekrarlayan derecelendirme;darbe genişliği maks.birleşme sıcaklığı.
Başlangıç ​​TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Darbe genişliği ≤ 400µs;görev döngüsü ≤ %2.
1 inç kare bakır levha üzerine monte edildiğinde.
Rθ, yaklaşık 90°C'lik TJ'de ölçülür.
YALNIZCA TASARIM YARDIMI içindir, üretim testine tabi değildir.